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IRFP044NPBF中文资料

IRFP044NPBF图片

IRFP044NPBF外观图

  • 大小:105.3KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:53A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:5.45mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:100W; Pulse Current Idm:180A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:...
  • 标准包装:25
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:53A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 29A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:61nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1500pF @ 25V
  • 功率 - 最大:120W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247AC
  • 包装:散装
  • 其它名称:*IRFP044NPBF

IRFP044NPBF供应商

更新时间:2023-01-06 15:15:44
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